Interface Charge Trap Density of Solution Processed Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using ITO/PZT/Pt Structure

http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/33013

Title: Interface Charge Trap Density of Solution Processed Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using ITO/PZT/Pt Structure
Authors: Pham, Van Thanh
Bui, Nguyen Quoc Trinh
Miyasako, Takaaki
Keywords: Ferroelectric;Metal-ferroelectric-semiconductor;Indium-tin oxide (ITO);Ferroelectric gate thin film transistor (FGT);Conductance method
Issue Date: 2013

Nhận xét

Bài đăng phổ biến từ blog này

NẤM LỚN Ở VIỆT NAM, Tập 1

Tác động của chuyển đổi kinh tế thị trường đối với quyền bình đẳng giáo dục cho học sinh nữ ở Việt Nam

Quantification of warming climate-induced changes in terrestrial Arctic river ice thickness and phenology