Interface Charge Trap Density of Solution Processed Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using ITO/PZT/Pt Structure

http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/33013

Title: Interface Charge Trap Density of Solution Processed Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using ITO/PZT/Pt Structure
Authors: Pham, Van Thanh
Bui, Nguyen Quoc Trinh
Miyasako, Takaaki
Keywords: Ferroelectric;Metal-ferroelectric-semiconductor;Indium-tin oxide (ITO);Ferroelectric gate thin film transistor (FGT);Conductance method
Issue Date: 2013

Nhận xét

Bài đăng phổ biến từ blog này

Thù nhà nợ nước : Tiểu thuyết lịch sử Thù nhà nợ nước : Tiểu thuyết lịch sử

Xác định lượng vết Selen bằng phương pháp Von- Ampe hòa tan catot xung vi phân khi có mặt Rh

Tác động của chuyển đổi kinh tế thị trường đối với quyền bình đẳng giáo dục cho học sinh nữ ở Việt Nam